手机闪存的区别
存储空间就是指手机内的闪存,也叫ROM。
一块手机闪存芯片(ROM)是由NAND颗粒、主控芯片和数据接口组成,而我们经常听到的UFS、eMMC和NVMe这些名词都是传输协议,这些组件和传输协议共同进行标准封装,最终形成一个高度集成的存储模块。目前,主要几家生产闪存颗粒的厂商有美光、三星、海力士、东芝、闪迪等。同时根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)以及TLC(三层存储单元),三种存储单元在寿命造价上又有明显的区别,其中SLC,速度快寿命长,即1bit/cell,价格偏贵;MLC 速度一般寿命一般,即2bit/cell,性价比高;TLC速度慢寿命短,即3bit/cell,价格很便宜。
前几年,eMMC一直占据移动市场主流,这一标准从eMMC4.3一路迭代到5.1,传输速率也从50MB/S飙升至600MB/S。随着更大容量存储芯片的出现,更强的UFS、NVMe也出来了。
NVMe这一传输标准,大家比较陌生因为它是iPhone等 苹果产品独享的,iPhone的传输速率,大家有目共睹就不说了。而作为安卓阵营的新宠的UFS标准则是三星主导研发的,这一标准支持同时读写数据、待机状态下功耗极地、读写速率方面,最新的UFS2.1可达恐怖的1.5GB/S;而老迈的eMMC同一时间只能维持读取或写入一种状态。
闪存读写速度对手机的影响有多大呢?举个例子,我们平时打开相册往下滑动,有时下面相册的显示还是空白的,这就是闪存速度跟不上,不能及时读出来我们所要看的照片。另外,用手机拷大型文件那就是漫长的等待了。可见,手机的流畅使用体验,并不全是处理器决定的,处理器和运存只能确保操作流畅不卡顿,但快不快只能由闪存速度决定。比如,我们平时安装软件、载入游戏、照片文件等使用场景的快慢都取决于闪存读写速率。
比如,软件安装速度对比,eMMC 5.1实测速度只有250MB/S,而UFS2.1实测速度可达750MB/S,这就意味着安装相同应用用户就要多等差不多三倍时间。再比如,加载游戏、应用画面等场景,也要多等三倍时间,比起手机卡顿这让人更容易产生厌烦的情绪。
要买一款好的手机不能只看处理器、运存、系统等性能好还,闪存性能的重要性同样不能忽略。不同品质的闪存之间性能相差三倍的形成的沟壑,是系统和处理器等优化所填补不了的。
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